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深圳市福田区华帝电子商行
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产品介绍

最新的中高压MOSFET的优点

第4代超级结600 -V DTMOS Ⅳ MOSFET系列

东芝已开发出第4代超级结600 -V DTMOS Ⅳ的MOSFET系列产品。通过采用最先进的单层外延工艺, DTMOS Ⅳ减少了30 %的罗恩· A,这是MOSFET相较于其前一代产品DTMOS Ⅲ所具有的一个数字化的优点( FOM) 。对于罗恩A的降低,实现了在相同封装中安装较低Ron芯片的可能。这也有助于提升效率和减小电源的尺寸大小。

特点

1 ,罗恩·一个减小了30 % ,这是MOSFET相较于其前一代产品(差动Ⅲ )的一个数字化优点。

2,因为采用了独立单层外延工艺,所以在高温时导通电阻增加较少。

3,因为减小了科斯,所以相较于前一代产品(差动Ⅲ ) ,可以降低12 %的开关损耗, EOSS 。

DTMOS四: EOSS曲线

具有相同罗恩的产品的效率比较

4,可用的导通电阻范围广泛, RDS(ON) : 0.9 Ω - 0.018 Ω最大值

5,多种封装选择

插针式: TO- 220 , TO- 220SIS , IPAK , I2PAK , TO- 3P (N ) , TO- 3P (L ) , TO- 247

表面贴装型: DPAK , D2PAK


应用

通信设备的电源

服务器

台式电脑

适配器 

LED照明

UPS

液晶电视

焊机

打印机

太阳能逆变器


现货供应全系列仙童FUJI富士场效应管FMV05N50E、FMV07N50E、FMV08N50E、FMV12N50E、FMV16N50E、FMV12N50ES、FMV16N50ES、2SK3986-01MR、2SK3518-01MR、2SK4004-01MR、2SK3520-01MR、2SK3932-01MR、2SK3469-01MR、2SK3505-01MR、2SK3696-01MR、FMV05N60E、FMV06N60E、FMV10N60E、FMV11N60E、FMV13N60E、FMV16N60E、FMV07N70E、FMV09N70E、FMV11N70EFMV15N70E、FMV06N60ES、FMV12N60ES、FMV13N60ES、FMV16N60ES、FMV17N60ES、2SK3989-01MR、2SK3691-01MR、2SK3525-01MR、2SK3888-01MR、2SK3502-01MR、2SK3451-01MR、2SK3687-01MR、2SK3673-01MR、2SK3677-01MR、2SK3929-01MR、FMV06N80E、FMV08N80E、FMV10N80E、FMV13N80E、FMV06N90E、FMV07N90E、FMV09N90E、FMV11N90E、2SK3530-01MR、2SK3699-01MR、2SK4005-01MR、2SK3532-01MR、2SK3534-01MR、2SK3679-01MR

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